<img src="http://www.ci.ru/bibm/468x60.gif" border="0" width="468" height="60" alt="IBM">

Компьютер-Информ || Архив || Рубрики || Поиск || Подписка || Работа || О "КИ" || Карта

ЗАО "Техно-СПб" Системная интеграция

ITоги 2000 года. Память


Материал любезно предоставлен  сайтом iXBT.com


Здесь основная тема года ≈ противоборство Direct RDRAM и DDR SDRAM. Хотя данная формулировка не совсем корректна, скорее больше стоит говорить о деятельности Rambus и взрослении DDR.

Rambus в этом году куда больше отличилась не в технологическом плане, а в юридическом. Напомню, что все началось как раз в январе, когда компания неожиданно объявила о своих претензиях на владение патентным пулом на DDR SDRAM/SGRAM, PC100, PC133 SDRAM, потребовав от всех производителей, в той или иной мере использующих эту спецификацию, лицензионных отчислений. Желающих, естественно, не нашлось, поэтому, после каких-то оценок, в качестве пробного шара была избрана Hitachi, которой и был предъявлен соответствующий иск. Дальше конфликт стал разгораться довольно быстро: в марте был подан иск в федеральную торговую комиссию с требованием запрета на импорт в США чипов Hitachi и продуктов на их основе (например, приставки Sega Dreamcast), в апреле ≈ аналогичный в Германии. Hitachi выставила встречный иск, но, будучи вынужденной защищать интересы своих клиентов ≈ той же Sega, к примеру, была вынуждена признать правильность патентов Rambus и лицензировать у него все вышеуказанные технологии. Тем более что парой недель раньше это сделала Toshiba. После этого началось просто падение: Oki Electric, Mitsubishi, NEC, Samsung. В самом конце года о лицензировании объявила создающаяся сейчас Elpida Memory ≈ совместное предприятие все тех же NEC и Hitachi, становящееся одним из крупнейших производителей памяти в мире.

Так что Rambus может торжествовать. Комиссионных с Samsung и Elpida уже должно более чем хватать на обеспечение жизни небольшой компании. Хотя из пятерки крупнейших игроков, это ≈ лишь два, согласившихся платить. Три остальных ≈ Hyundai, Micron, Infineon, напротив, обвинили Rambus по антимонопольной статье и в нарушении интеллектуальной собственности. Rambus ответил встречными исками по уже привычной схеме.

Как будет развиваться ситуация, мы узнаем лишь в 2001 г., когда начнутся судебные разбирательства. Пока что можно лишь констатировать, что бурная юридическая деятельность Rambus уже принесла некоторые плоды: в январе было объявлено о начале разработки Advanced DRAM Technology, основанной на тех же принципах, что и RDRAM, но более открытой, дешевой и производительной. Плюс, не забудем о DDR II. В общем и целом, надо признать, что как бы не сложилась ситуация, но то, что Rambus проиграл на рыночном поле ≈ это сомнений не вызывает уже ни у кого.

Даже Intel на февральском форуме IDF▓2000 заявила о намерении перевести на RDRAM 100% PC среднего уровня к концу 2001 г. Тогда еще не шло речи о Brookdale.
Однако, надо признать, что, несмотря активность Rambus, RDRAM продолжал развиваться,  а куда было деваться той же Samsung, уже вложившей в него весьма немалые деньги. Да и было непонятно, как поведут себя потребители, поэтому, на всякий случай, от этой памяти никто не отказывался. Так что неудивительно, что большинство крупнейших производителей продолжали развивать это направление: в 2000 г. большинство из них создали уже 2-3 поколение 144/128 и 288/256 Мбит чипов RDRAM, что для большинства из них означало 0.15-0.17 мкм тех-процесс. Причем, как уже упоминалось, этим занимались почти все ≈ даже Hyundai, получив в январе весьма привлекательные условия от Rambus, занялась производством этого типа памяти. Вдобавок, кроме простого перехода на меньшую геометрию, компании пытались снижать себестоимость RDRAM и другими методами ≈ от новых методов упаковки, позволяющих снизить стоимость чипов, до простого снижения технических требований к платам для модулей RIMM, как это сделала Intel для удешевления модулей за счет их качества. Плоды это, конечно, принесло: Kingston, крупнейший производитель модулей RIMM, в апреле скинул цену на них в среднем на 35%, мотивируя этот шаг соответствующим снижением цен на чипы Samsung.

Однако даже этого было мало для выхода на действительно массовый рынок: в середине года Intel даже провела специальную встречу с производителями DRAM, пытаясь уговорить их снизить цены на производимые ими чипы RDRAM, пусть даже за счет уменьшения их прибыли. Не получилось. Более того, оценив ситуацию, крупнейшие производители RDRAM начали переводить часть линий обратно под производство SDRAM, как под память, приносящую куда большую прибыль сейчас, не говоря уже о будущем ≈ в начале года все, как один, ожидали роста цен на память во 2 половине года. Ошиблись. Действительно, рост цен на память начался еще в конце зимы, к середине года цена на 64 Мбbn PC100 перевалила за отметку в $7, а на 3-4 квартал производители планировали цены в $9-10, соответственно, наращивая свои производственные мощности. Сейчас! Сначала цены вели себя целиком в соответствии с прогнозом, поднявшись к концу того же июня до $8.5 долларов. За июль цены на PC133 модули выросли в среднем по миру на 10%, Micron установил на свои 64 Мбит чипы контрактную цену в $8, хотя еще несколько месяцев назад она находилась на отметке в $6.

Уже в августе цены сначала перестали расти, а к его концу и вовсе упали, хотя производители по инерции еще продолжали обещать на 4 квартал дефицит 64 Мбит чипов. А вот в сентябре рынок обвалился, упав за месяц на 2 с лишним доллара ≈ до уровня чуть выше $6 за чип. И опять, по общим оценкам производителей DRAM, это был последний нырок вниз, в октябре цены, оттолкнувшись от $5, должны пойти вверх. За октябрь цены действительно упали до $5, но отнюдь не остановились, а в ноябре упали уже ниже $4 за 64 Мбит чип SDRAM.

Дело в том, что этим летом рынок занял выжидательную позицию: обычно летом, в мертвый сезон, цены традиционно падают, но в этот раз этого не произошло ≈ они достаточно стабильно провисели на одном уровне и в результате общим ожиданием стало, что осенью, во время традиционного всплеска спроса, они поднимутся. К чему продавцы и подготовились. Однако в сентябре этого самого всплеска не произошло (по разным причинам ≈ тут и общий спад спроса на ПК, и отложенный спрос в результате ожидания DDR SDRAM), склады оказались переполненными и, в результате, переоценка спроса дала себя знать. Впрочем, на этот раз производителям памяти, несмотря на то что по ним эта ситуация ударила достаточно сильно, все же пришлось легче, чем в прошлом году. За первую половину года все успели перейти хотя бы на 0.18 мкм (что, по сравнению с 0.25 мкм, уже дает порядка 40% снижения себестоимости), не говоря о титанах вроде Micron, уже выпускающих 0.14 мкм чипы DRAM, так что на сей раз для большинства дажецена в $3 с лишним за чип все равно оказалась выше уровня себестоимости.  

Впрочем, и это еще не предел. Уже виднеется 0.13 мкм техпроцесс ≈ Mosel лицензировал его у Infineon, Winbond с Toshiba объявили о заключении альянса с целью разработки 0.13 мкм чипов DRAM, чуть позже вместе с Fujitsu, начав и разработку уже 0.11 мкм чипов. Впрочем, всех в этом году обошла Samsung, уже объявившая о создании 0.12 мкм 512 Мбит чипа, имеющего те же габариты, что и стандартный 256 Мбит, а 0.10 мкм техпроцесс, уже заявленный в апреле компанией, должен, по ее мнению, обеспечить ей первое место в гонке к 1 Гбит чипам DRAM. Впрочем, он и на большее способен ≈ на ISSCC Samsung представила уже 4 Гбит чипы DDR SDRAM, сделанные на базе этого техпроцесса. Как утверждает компания, это будет первый в мире случай, когда на одной микросхеме будет собрано 4 млрд транзисторов.

Но это ведь не единственный метод. Есть еще, например, переход на 300 мм пластины. К примеру, Infineon в этом году на своей пилотной линии по производству чипов DRAM из 300 мм кремниевых пластин достигла для 64 Мбит чипов выхода годных чипов в 90% ≈ уровень вполне коммерческого производства. А подобный переход ≈ это еще порядка 30% снижения себестоимости по сравнению с использованием стандартных 200 мм пластин. Так что, учитывая, что первая 300 мм фабрика по производству чипов DRAM (0.13 мкм) появится у Elpida Memory уже в ближайшие годы, а затем они пойдут как грибы (к примеру, Winbond заявил о своем намерении вложить до 2008 г. $7.5 млрд в строительство 2 подобных), то мы смело можем ждать в течение ближайших 3-4 лет снижения себестоимости чипов DRAM более чем вдвое.

Тем более, что к тому времени явно уж будут выпускаться никак не 64 Мбит чипы. Уже в этом году корейцы подняли объем своего производства 128 Мбит чипов на 50%, слегка снизив объем производства 64 Мбит чипов. Тем не менее, все равно пока 64 Мбит чипы явно остаются лидирующими, в 2-3 раза превосходя по количеству объем выпуска 128 Мбит чипов. Хотя, если считать по объему памяти┘ К тому же, тон здесь на рынке задают не корейцы, а Micron с ее 43% рынка 128 Мбит чипов SDRAM.
Но в любом случае, во-первых, в 2003-2004 гг. мы будем пользоваться уже модулями даже не на 128 Мбит, а на 256 Мбит чипах, а во-вторых, не будем забывать, что со временем, скажем, производство 128 Мбит чипа становится дешевле, чем производство двух 64 Мбит, и т. д., что дает нам еще один фактор снижения цен. Плюс, в-третьих, ввод новых технологий (хотя, если считать с 300 мм, то это уже в-четвертых). Однако, все это должно свестись воедино весьма скачкообразно, через 3-4 года, когда внезапно одновременно появятся и 300 мм, и 0.13 мкм, до тех же пор спрос должен расти, по всей видимости, опережая предложение. Единственным плюсом здесь остается переход на производство чипов с большей плотностью, что вполне реально уже сейчас ≈ еще в начале года Smart Modular предложила первый модуль PC133 SDRAM на 512 Мбит чипах, имеющий емкость 2 ГБ.

Правда, пока что это все-таки нечто экстремальное. А вот производство 256 Мбит чипов DDR SDRAM (естественно, наравне со 128 Мбит) начало большинство производителей DRAM. Правда, 256 Мбит по большей части в течение года оставались в статусе образцов, тем не менее, к концу года уже начали поставляться образцы модулей на их основе. Однако на массовое производство DDR SDRAM перешли еще не все ≈ Тайвань начнет масштабное производство в 1 квартале 2001 г., но в любом случае и материнские платы с поддержкой DDR SDRAM в соответствующих количествах начнут появляться именно тогда.

Впрочем, крупные производители к тому времени уже вполне в состоянии будут при желании заняться производством не PC1600 (которая на рынке, похоже, проживет весьма недолго) и PC2100 (а вот эта, в свою очередь, наверное, приживется в роли стандарта), а уже PC2600. По крайней мере, Micron обещает начать поставку модулей DIMM PC2600 в промышленных объемах уже во 2 квартале 2001 г., примерно, в те же сроки готова начать их производство Samsung. А JEDEC, тем временем, уже больше полугода обсуждает спецификацию PC3200.

Осталось отметить весьма перспективное направление в области памяти ≈ энергонезависимая память на базе эффектов магнитного поля. Здесь работают множество компаний, причем прогресс за последнее время достигнут впечатляющий. Работающие прототипы уже показали Micron (SyncFlash), IBM (MRAM ≈ Magnetic Random Access Memory) и Motorola (MRAM ≈ Magnetoresistive Random Access Memory). Более того, SyncFlash уже используется в коммерческих продуктах ≈ в конце года Philips выпустила семейство чипов для телеприставок, поддерживающее этот интерфейс. Впрочем, IBM и Motorola претендуют на куда большее ≈ завоевание всего рынка памяти и вытеснение DRAM, но только для того, чтобы понять ≈ удастся ли им это, надо подождать еще 3-4 года. Примерно столько времени компаниям понадобится для доводки этих технологий до стадии коммерческого производства.  


       КОМПЬЮТЕР-ИНФОРМ 
          Главная страница || Статьи ╧ 1'2001 || Новости СПб || Новости России || Новости мира

Анкета || Рубрики || Работа || Услуги || Поиск || Архив || Дни рождения
О "КИ" || График выхода || Карта сайта || Подписка

Главная страница

Сайт газеты "Компьютер-Информ" является зарегистрированным электронным СМИ.
Свидетельство Эл ╧ 77-4461 от 2 апреля 2021 г.
Перепечатка материалов без письменного согласия редакции запрещена.
При использовании материалов газеты в Интернет гиперссылка обязательна.

Телефон редакции (812) 118-6666, 118-6555.
Адрес: 196084, СПб, ул. Коли Томчака, д. 9
Пейджер 238-6931(аб.3365)
e-mail:
Для пресс-релизов и новостей