Компьютер-Информ || Архив || Рубрики || Поиск || Подписка || Работа || О "КИ" || Карта
30 января компания Samsung объявила о намерении в следующем году создать 1 ГБ модули памяти DRAM с помощью 193 нм литографии (используется ArF лазер) и новой формулы фоторезиста (разработанной совместно с Shipley Co.). С помощью ArF-лазера и нового фоторезиста можно массово создавать микросхемы по 0.09 мкм процессу. А теоретически это оборудование позволяет создавать и чипы с шириной соединений в 0.07 мкм. 193 нм литография уже применяется AMD/Motorola на тестовых образцах, а вот фоторезист Samsung решила запатентовать и подала документы на патент в 9 странах, включая США.
http://www.ixbt.ru
Компания Extreme Ultraviolet LLC создала машину для производства процессоров по технологии предельной ультрафиолетовой литографии (EUV). Компания намерена несколько месяцев тестировать машину, а затем перейти к промышленным испытаниям, которые будут заключаться в печати изображений микросхем на кремниевых подложках. EUV чем-то напоминает процесс производства фотографий. Сначала машина печатает изображение микросхемы на подложке, а затем слой за слоем ╚проявляет╩ его. С помощью этой машины станет возможным производство процессоров, способных работать с тактовой частотой 10 ГГц и выше, сообщает CNET.
Корейский производитель чипов компания Genitech Inc. подала патентную заявку в Корее, Японии США и Европейском Союзе на технологию плазменного напыления. Технология позволяет создавать 10 нм пленку на поверхности кремниевой пластины, являющейся исходным материалом для создания транзисторов или интегральных микросхем. 10 нанометров ≈ это всего лишь 3 диаметра атома. Технология найдет применение при нанесении диоксид-титановой пленки при изготовлении чипов DRAM и нанесении сегнетоэлектрических пленок в процессе изготовления памяти FRAM (сегнетоэлектрической RAM).
Новая технология является разновидностью технологии atomic layer напыления атомарного слоя (ALD), существенно снижающей толщину нанесенной пленки, однако существующие решения ALD имеют ограничения, поскольку возникающие при его применении неоднородности не позволяют получить достаточное качество продукции и требуют больше времени на обработку пластин. При химической обработке пластин компания, опираясь на существующую технологию ALD, воспользовалась свойствами высокоэнергетичной плазмы. С помощью плазменной обработки инженеры Genitech добились нанесения тонкого, равномерного и качественного слоя пленки. Скорость обработки пластин также увеличена в 1.5 раза по сравнению с традиционной технологией ALD.
Эксперты заявили, что эта технология необходима для разработки 1-4 гигабитных чипов DRAM. Genitech представила образцы своего оборудования производителям чипов, а полный набор оборудования будет продемонстрирован компанией на выставке Semicon Korea 2001, сообщил Korea Herald.
По данным Dataquest, потребность мирового рынка в технологическом оборудовании для процесса ALD в 2001 г. составит до $500 млн.
Дисплеи || Связь || Память || Технологии изготовления || Объемы продаж || Работа
Рубрики || Работа || Услуги || Поиск || Архив || Дни рождения
О "КИ" || График выхода || Карта сайта || Подписка
Главная страница
Сайт газеты "Компьютер-Информ" является зарегистрированным электронным СМИ.
Свидетельство Эл ╧ 77-4461 от 2 апреля 2021 г.
Перепечатка материалов без письменного согласия редакции запрещена.
При использовании материалов газеты в Интернет гиперссылка обязательна.
Телефон редакции (812) 118-6666, 118-6555.
Адрес: 196084, СПб, ул. Коли Томчака, д. 9
e-mail:
Для пресс-релизов и новостей